دانلود فایل ارزان
فایل - پروژه - مقالهدانلود فایل ارزان
فایل - پروژه - مقالهورکشاپ مدلسازی مبل و میز در نرم افزار تریدی مکس با استفاده از ابزار editable poly
ورکشاپ مدلسازی مبل و میز در نرم افزار تریدی مکس با استفاده از ابزار editable poly
سلام خدمت دوستان عزیز در خدمتتون هستم با یک آموزش از سری آموزشهای نرم افزار تریدی مکس توی این آموزش قصد دارم صفر تا صد مدلسازی یک مبل و میز مدرن رو بهتون نشون بدم روش مدلسازی polygon modeling هست و از ابزار editable poly استفاده می کنیم هدف از این آموزش تسلط روی ابزار editable poly اصلی ترین ابزار مدلسازی در تریدی مکس هست امیدوارم مفید باشه واستون مناسب برای دانشجویان معماری و هنرجویان در زمینه ی مدلسازی =======فرمت:فایل ویدیویی MP4 ======= حجم فایل:69.1 مگابایت ...مدل سازی ساختمان با نمای کلاسیک
مدل سازی ساختمان با نمای کلاسیک
این پروژه طراحی 3بعدی نما ساختمان کلاسیک با مدل سازی کامل و جزئیات دقیق میباشد. پروژه با نرم افزار 3دی مکس طراحی شده و قابل رندر گیری با نرم افزار های رندرینگ مثل ویری و لومیون و... میباشد. دارای آبجکت های طراحی شده مجزا مثل: ستون ، پنجره ، در ، ابزار و...مناسب برای استفاده در پروژه های دانشگاهی و اجرایی و... عکس پروژه در صفحه قابل مشاهده میباشد. ...دانلود ترجمه مقاله مدلسازی خط مشی : تعریف ، طبقه بندی  و ارزیابی
دانلود ترجمه مقاله مدلسازی خط مشی : تعریف ، طبقه بندی و ارزیابی
دانلود ترجمه مقاله مدلسازی خط مشی : تعریف ، طبقه بندی و ارزیابی
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:2011
تعداد صفحه ترجمه:16
تعداد صفحه فایل انگلیسی:14
موضوع انگلیسی :Policy modeling: Definition, classification and
evaluation
موضوع فارسی:دانلود ترجمه مقاله مدلسازی خط مشی : تعریف ، طبقه بندی و ارزیابی
چکیده انگلیسی:This paper introduces a definition, a way of classifying and a method of evaluating policy modeling. An
analytical tool called “Policy Modeling Consistency (PMC-Index)” has been developed for the purposes of
evaluating policy modeling. The PMC-Index enables policy-makers and researchers to identify the level of
consistency as well as the strengths and weaknesses within any policy modeling. The implementation of the
PMC-Index involves the following four basic steps: (i) the use of multi-input-output table; (ii) classification
of variables and identification of parameters; (iii) measurement of the PMC-Index; (iv) construction of the
PMC-Surface. Through the PMC-Index, this paper promotes multidisciplinary approach to policy modeling.
It suggests that various possible effects of any economic policy can be shown using a multi-dimensional
graphical means
چکیده فارسی:
در این مقاله مدلسازی خط مشی تعریف، طبقه بندی و برای ارزیابی آن روشی پیشنهاد شده است.جهت ارزیابی مدلسازی خط مشی ابزاری تحلیلی به نام " سازگاری مدلسازی خط مشی" (شاخص (PMC تدوین شده است. شاخص PMCسیاست گذاران و محققان را قادر می سازد تا سطح سازگاری مدلسازی خط مشی ها را تعیین و همچنین نفاط قوت و ضعف درون آنها را شناسایی نمایند .پیاده سازی شاخص PMC شامل چهار گام اساسی زیر می شود : 1 – استفاده از جدول چدگانه ورودی – خروجی 2-طبقه بندی متغیرها و شناسایی پارامترها 3 – اندازه گیری شاخص PMC 4- ترسیم نمای PMC
این مقاله با بهره گیری از شاخص PMC رویکرد چند جانبه ای را به مدلسازی خط مشی سازمانی پیشنهاد می کند این امر نشان می دهد که می توان اثرات مختلف هر سیاست اقتصادی را با استفاده از یک ابزار گرافیکی چند بعدی به نمایش گذاشت.
دانلود ترجمه مقاله مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک آلی یا ترانزیستورهای OTFT
دانلود ترجمه مقاله مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک آلی یا ترانزیستورهای OTFT
دانلود ترجمه مقاله مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک آلی یا ترانزیستورهای OTFT
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:2014
تعداد صفحه ترجمه:32
تعداد صفحه فایل انگلیسی:12
موضوع انگلیسی :Compact Modeling and Contact Effects
in Thin Film Transistors
موضوع فارسی: دانلود ترجمه مقاله مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک آلی یا ترانزیستورهای OTFT
چکیده انگلیسی:Abstract—A compact model for the current–voltage characteristics
of organic thin-film transistors (OTFTs), which includes the
effects of the contact regions, is proposed. Different physical and
morphological aspects of contacts with organic or other emerging
materials such as graphene, semiconducting dichalcogenides such
as MoS2, or NW devices are described. The electrical behavior
of the contacts is studied in OTFTs, and circuit models that
describe them are reviewed. Two trends are observed in the
current-voltage curves of the contacts of different OTFTs: linear
and nonlinear, and different models are used to explain them.
A unified model for the contact region that reproduces both
trends and gathers the different physical and structural features
of the contacts is developed. It is described by a single parameter
and introduced in a generic analytical model for TFTs.
The variability in OTFT structures, materials, and fabrication
approaches gives rise to a strong variability in the values of
the parameters of the model. In this regard, a characterization
technique to determine the value of the parameters of the model
from experimental data is also developed. Different physical
tests are proposed to validate the results of the technique. The
procedure is applied to recent experimental data for different
pentacene-based transistors. The good agreement between the
experimental data and our analytical results provides a way
to relate the parameters of the model with the physical or
geometrical origin of the contact effects in OTFTs
چکیده فارسی:یک مدل فشرده برای تعیین ویژگیهای ولتاژ- جریان ترانزیستورهای لایه نازک آلی (OTFT) که در برگیرندۀ اثرات نواحی اتصال (contact regions) میباشد، پیشنهاد شد. حالات فیزیکی و ساختاری مختلف اتصالات با مواد آلی و سایر مواد نوظهور مثل گرافن، دی کالوژنیدها (dichalcogenide )ی نیمه هادی مثل MoS2 یا ابزار نانو سیمی (NW)، تشریح میگردند. رفتار الکتریکی اتصالات در ترانزیستورهای OTFT بررسی میشود و مدلهای مداری که آنها را تشریح میکنند مورد بررسی قرار میگیرند. دو روند در منحنیهای ولتاژ- جریان مشاهده میشوند: خطی (linear) و غیرخطی(nonlinear)، و مدلهای مختلفی برای تشریح آنها مورد استفاده قرار میگیرند. یک مدل یکپارچه شده برای ناحیۀ اتصال (یا ناحیۀ تماسcontact region) که هر دو روند را ایجاد میکند و ویژگیهای فیزیکی و ساختاری مختلف اتصالات در خود جای میدهد، توسعه داده میشود. این مدل بوسیلۀ یک پارامتر تشریح میشود و در یک مدل تحلیلی عمومی برای ترانزیستورهای لایه نازک(TFT) معرفی میگردد. تغییرپذیری در ساختارهای OTFT ، مواد و روشهای ساخت، منجر به انعطاف بسیار زیاد در مقادیر پارامترهای مدل میشود. در این رابطه، یک تکنیک تعیین ویژگی برای مشخص کردن مقدار پارامترهای مدل از داده های آزمایشی نیز توسعه داده میشود. تستهای فیزیکی مختلفی برای اعتبارسنجی نتایج تکنیک پیشنهاد میشوند. این روش روی داده های اخیر آزمایشی برای ترانزیستورهای بر پایۀ پنتاسن (pentacene-based transistors) اعمال میگردد. همخوانی خوب بین داده های آزمایشی و نتایج تحلیلی ما، راهی را برای ارتباط دادن پارامترهای مدل با منبع فیزیکی یا هندسی اثرات اتصالی در ترانزیستورهای OTFT فراهم میسازد.
مدل و شبیه سازی سیکل کولر گازی(تبرید تراکمی)
مدل و شبیه سازی سیکل کولر گازی(تبرید تراکمی)
عنوان : مدل سازی و شبیه سازی سیکل تبرید تراکمی کولر گازی و ارزیابی ضریب عملکرد آن تحت شرایط محیطی مختلف فرمت فایل : word قابل ویرایش تعداد صفحات : 85 چکیده به زبان انگلیسی (Abstract) : دارد فهرست مطالب : دارد مقدمه :دارد تصویر : دارد منبع : دارد جهت آشنایی بیشتر با پروژه , چکیده و نتیجه گیری در زیر قرار داده شده است. چکیده: مدلسازی اجزای سیکل تبرید تراکمی بخار با استفاده از منحنیهای مشخصه آنها در حالت پایدار ارائه شده و شبیهسازی، پیشبینی مشخصههای سیستم مانند نرخ دفع حرارت در کندانسور، کار کمپرسور، اثر تبرید و ضریب عملکرد سیستم در شرایط محیطی متفاوت انجام شده است. نتایج حاصل از شبیهسازی با دادههای تجربی بهدستآمده از بررسی آزمایشگاهی یک دستگاه کولرگازی دوتکه مقایسه شده و مشخص شد که مدل ارائه شده می تواند با دقت خوبی عملکرد سیستم را پیشبینی کند. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که با افزایش یک درجه دمای محیط ضریب عملکرد سیکل5/3 ...