دانلود تحقیق در موردساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT - 29 اسلاید

نام فایل : ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT - 29 اسلاید فرمت : .ppt تعداد صفحه/اسلاید : 29 حجم : 4 مگابایت فصل چهارم P N P E B CامیترEبیسBCکلکتور N P NامیترEبیسBCکلکتور E B C P N PREVCCRVEEE2 در مقابل جریان حفره ای امیتر مانند سد عمل می کندE1برای جریان حفره ای امیتر که وارد بیس می شود مانند پرتاب گر عمل می کند E2بایاس مستقیمبایاس معکوس P N PIxIPEIpcoIcoIEIncoIpcجریان حامل های اقلیت میزان حفره تزریقی امیتر IPE جریان امیتر و IE ضریب تزریقی امیترγ =IPEIEمولفه های جریانی ترانزیستور در ناحیه فعال: مقداری از جریان حفره ای که بوسیله الکترون های بیس جذب می شودIx مقداری از جریان حفره ای که از بیس عبور می کندIPC=ضریب گذردهی بیس.... ...